原型開(kāi)發(fā)是了解半導(dǎo)體性能和良率的過(guò)程。在半導(dǎo)體行業(yè)，它通常被稱為“多項(xiàng)目晶圓”（MPW），將多個(gè)使用相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片，制造完成后，每個(gè)設(shè)計(jì)可以得到數(shù)十片芯片樣品。

在此基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司對(duì)是否量產(chǎn)、制造商和數(shù)量作出最終決定。雖然只是樣品生產(chǎn)的一種，但它是半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)的第一步，也是大規(guī)模生產(chǎn)的關(guān)鍵程序。

預(yù)計(jì)高通將根據(jù)三星電子和臺(tái)積電的測(cè)試結(jié)果，選擇一家公司進(jìn)行批量生產(chǎn)，原型開(kāi)發(fā)通常需要六個(gè)月到一年的時(shí)間。高通的 2nm AP 訂單，也就是量產(chǎn)公司的最終選擇，預(yù)計(jì)將在年底前完成。

據(jù)IT之家此前報(bào)道，三星電子在近日的 2023 年四季度業(yè)績(jī)公告中表示，其 Foundry（晶圓代工）部門已收獲一份 2nm AI 加速器訂單，該訂單還包括配套的 HBM 內(nèi)存和高級(jí)封裝服務(wù)。

根據(jù)三星以往披露的路線圖，其 2nm 級(jí) SF2 工藝計(jì)劃于 2025 年推出，較 SF3（IT之家注：即三星第二代 3nm 工藝 3GAP）工藝可在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。